CMPポリシャのドレッシング（第1報）

ポリシャ表面状態に及ぼすドレッシング条件の影響

抄録

半導体デバイスの基板として用いられるシリコンウエハの直径は、8インチから12インチへと大口径化しつつある。また、デバイスの高集積·高密度化の急速な進展により、ウエハ表面にはきわめて高い平坦度が要求されている。このような大口径ウエハを効率的かつ高精度に研磨するためには、工具として用いられるポリシャ表面には高い形状精度と良好な表面状態であることが必要である。本報では、適切なポリシャ表面を得るための条件を明らかにするために、まずドレッシング条件がポリシャ表面状態に及ぼす影響を検討する。