表面活性化常温接合法による封止接合（第3報）

接合構造と封止特性の関係

抄録

前報告ではSiウエハにおける表面活性化法による封止接合の真空気密性の可能性を示した。本報告ではいくつかの封止構造に対して表面活性化常温接合により封止を行い、その封止特性について報告する。具体的には封止構造としてCuとSiの接合や10umから200umまで接合線幅を変えて封止接合をおこない、そのリーク率と内部真空度を測定する。