抄録
大気圧プラズマCVD法を用いて、Siエピタキシャル成長の研究を行っている。結晶方位（100）のCz Siウエハを用い、サセプタ－温度を300-1000°Cの範囲で、モノシラン、水素、ヘリウムを混合して成長ガスとして流して成膜を行い、サセプタ－の温度と成膜速度の関係から、本成膜方法での活性化エネルギーの計算を行った。その結果、通常、Siのエピタキシャル成長に用いられている熱CVD法での活性化エネルギーに比べて、本研究のプラズマを用いた成膜方法の活性化エネルギーは、1/4以下に低減されている事が分かった。これは、プラズマのエネルギーにより、モノシランの分解が進み、さらにプラズマ化して活性な状態でウエハ表面に到達する事と一致する。
