大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 H2の効果

森 勇蔵; 芳井 熊安; 安武 潔; 垣内 弘章; 大参 宏昌; 中濱 康治

doi:10.11522/pscjspe.2003S.0.149.0

2003年度精密工学会春季大会

セッションID: C51

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2003S.0.149.0

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主催: 社団法人精密工学会

機能性薄膜（1）

大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究

H2の効果

森勇蔵, 芳井熊安, 安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌, *中濱康治

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キーワード: 大気圧プラズマCVD, シリコン窒化膜, シラン, アンモニア, 水素, 結合密度

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抄録

大気圧プラズマCVD法でSiH4，NH3，H2，Heを用いてSiNx薄膜の形成を試みた．H2濃度が膜質に及ぼす影響を検討したところ，H2濃度増加にともないSi-N結合密度とSi-H結合密度は増加し，N-H結合密度は減少した．膜中のSi原子比率が増加したことと，膜形成過程において表面Si原子を十分に水素終端したことが考えられる．

責任著者(Corresponding author)

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