新しいBell-Jar型CMP装置（第3報）

抄録

　最近の超LSIデバイスは超微細化と超高密度の多層配線を行うため、平坦化CMPが不可欠となっており、高能率で高品位な加工が望まれている。そこで本研究では、考案したBell-Jar型CMP装置により加工部周辺の気体や与圧力などの加工雰囲気を調整した環境下でCMPを行うことで、加工メカニズムを追求するとともに効果的な加工法を検討する。