光放射圧を利用したCu-CMP加工に関する研究（第1報）-シリカ微粒子の集積特性-

辻尾 良輔; 三好 隆志; 高谷 裕浩; 高橋 哲; 木村 景一

doi:10.11522/pscjspe.2003S.0.316.0

2003年度精密工学会春季大会

セッションID: F75

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2003S.0.316.0

会議情報

主催: 社団法人精密工学会

プラナリゼーションCMPとその応用（3）

光放射圧を利用したCu-CMP加工に関する研究（第1報）-シリカ微粒子の集積特性-

*辻尾良輔, 三好隆志, 高谷裕浩, 高橋哲, 木村景一

著者情報

キーワード: Cu-CMP加工, 光放射圧, シリカ微粒子

会議録・要旨集フリー

詳細

抄録

近年，LSIのデザインルールの縮小と共に，配線材料はAl，Wから，より電気抵抗の低いCuへ移行している．著者らは，Cu配線の形成では不可欠な工程であるCMP加工に関して，Cuの凹凸面の凹部にレーザ微粒子集積痕を形成し，その後ポリシングを行うことにより高度の平坦面を得る手法を提案する．本報では，レーザ照射によりCu膜上に微粒子が集積することを確認し，集積微粒子の特性を検証したので報告する．

責任著者(Corresponding author)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）