数値制御ドライエッチング技術による極薄SOIウェハーの平坦化

SOI層の膜厚均一化と薄膜化の検討

抄録

LSIの性能を改善するSOIウェハーは、近年急速に普及し始めている。我々は既に高平坦Siウェハー製造プロセスとしてDCPプロセスの開発に着手し、量産検討を終えている。エッチングガスにはSF6を採用し、ダウンストリームプラズマでSiを局所エッチングする。今回はDCP技術を応用し、SOIウェハーのSOI層平坦化加工を行った。膜厚均一性改善プロセスとしての有効性、薄膜化の可能性について検討し、極薄SOIウェーハ製造技術としての可能性を評価する。