精密工学会学術講演会講演論文集
2003年度精密工学会春季大会
セッションID: F77
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プラナリゼーションCMPとその応用(3)
シリコンウェハの仕上げ研磨用パッドの研究
*山本 恵司吉田 光一水野 剛島本 祝木下 正治
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抄録
Siウェハの品質要求も年々厳しくなってきており、特にSiウェハの表面粗さであるマイクロラフネスの一種、ヘイズの低減もそのひとつである。Siウェハの仕上げ研磨にはコロイダルシリカスラリーと軟質スウェード調研磨パッドが一般的に使用されている。 ヘイズ生成のメカニズムは解明されていないが、ヘイズ周期はコロイダルシリカ粒子のサイズと同等オーダーで両者には相関関係が指摘されており、粒子を小径にすることでさらなるヘイズの改善が期待できる。一方でヘイズ同様にマイクロラフネスの一種であるリップルは数-数百um周期の長周期荒さであり、研磨パッドの表面粗さとの相関があるとされている。上記知見を元に、本研究では仕上げ用スウェード調研磨パッドの各種物性、特にパッドの表面粗さに着目し、研磨後ウェハの表面粗さとの関係を調べた。
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© 2003 公益社団法人 精密工学会
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