暗視野エバネッセント照明による回路パターン付Siウエハ表面異物検出法に関する研究（第一報）

FDTDシュミレーションによる理論的検討

抄録

　近年、半導体デバイスの高積化と微細化は年々加速しており、配線パターン基板表面上のナノオーダーの微小付着異物を高信頼度で検出できる手法が強く求められている。しかし、従来の光散乱法では配線パターンと欠陥からの散乱光の区別が困難であることから、次世代半導体デバイスへの適用は不可能である。そこで、我々は新たに暗視野エバネッセント光照明による欠陥計測法を提案した。本報では、FDTDシュミレーション解析からこの手法の妥当性を示す。