赤外エバネッセント光によるSiウエハ加工表面層欠陥検出に関する研究（第6報） 内部欠陥検出

中島 隆介; 高橋 哲; 三好 隆志; 高谷 裕浩

doi:10.11522/pscjspe.2003S.0.580.0

2003年度精密工学会春季大会

セッションID: K20

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2003S.0.580.0

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主催: 社団法人精密工学会

知的精密計測（4）

赤外エバネッセント光によるSiウエハ加工表面層欠陥検出に関する研究（第6報）

内部欠陥検出

*中島隆介, 高橋哲, 三好隆志, 高谷裕浩

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キーワード: ナノ欠陥, 近接場光学, エバネッセント光, FDTD法

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抄録

シリコンウエハ内部に数十nmの微小欠陥が存在する場合に，その周囲における電磁場の分布を3次元FDTD法によって解析した．その結果ウエハ表面のエバネッセント場をプローブで走査した場合に，得られる強度分布から，その検出が可能であることを示した．この結果に基づき，実際にウエハ内にFIBを用いて擬似内部欠陥を作成し，それの検出を試みた結果より，本提案手法の微小内部欠陥検出への適用の可能性が示された．

責任著者(Corresponding author)

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