集束イオンビーム照射と化学エッチングを併用した極微細構造形成(第1報) エッチング加速作用のFIB照射条件依存性と3次元微細構造への応用

川堰 宣隆; 森田 昇; 山田 茂; 高野 登; 大山 達雄; 芦田 極; 谷口 淳; 宮本 岩男; 百田 佐多生

doi:10.11522/pscjspe.2004A.0.466.0

2004年度精密工学会秋季大会

セッションID: J51

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2004A.0.466.0

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主催: 社団法人精密工学会

レーザ加工（7）

集束イオンビーム照射と化学エッチングを併用した極微細構造形成(第1報)

エッチング加速作用のFIB照射条件依存性と3次元微細構造への応用

*川堰宣隆, 森田昇, 山田茂, 高野登, 大山達雄, 芦田極, 谷口淳, 宮本岩男, 百田佐多生

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キーワード: 集束イオンビーム, 化学エッチング, 単結晶シリコン, 3次元微細構造, ドーズ量, 加速電圧

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抄録

　本研究は,集束イオンビーム照射と化学エッチングを併用した3次元極微細構造形成法について検討している.FIB照射を行った単結晶シリコン(100)をフッ酸でエッチング処理すると,加工部が選択的にエッチングされ凹状の微細構造を形成することができる.本報では,この原理を応用した3次元微細構造形成法について検討した.まず,構造深さのFIB照射条件依存性について検討した.つぎに加速電圧を変化させた実験を行い,そのメカニズムについて考察した.さらにこれらの結果を応用して,3次元構造の形成を試みた.

責任著者(Corresponding author)

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