暗視野エバネッセント照明による回路パターン付きSiウエハ表面異物欠陥検出法に関する研究(第二報)

エバネッセント照明特性の実験的検討

抄録

近年半導体デバイスの高集積化と微細化は年々加速しており、配線パターン上のナノオーダーの微小付着異物を高信頼度で検出できる手法が強く求められている。しかし従来の遠隔場光波情報に基づく光散乱検出法では次世代デバイスへの適用は困難である。そこで新たに、伝搬光とは異なった特性を有するエバネッセント光を利用した欠陥検出法を提案する。本報では、試作した欠陥検出光学系の基本特性を基礎実験により調べ、提案手法の有効性を示す。