GaAs半導体材料の鏡面研削機構の研究　第3報 切削溝の間隔の違いが(表面および内部)クラック発生に与える影響

田代 雄介; 森田 昇; 山田 茂; 高野 登; 大山 達雄; 樋山 雅樹

doi:10.11522/pscjspe.2004S.0.92.0

2004年度精密工学会春季大会

セッションID: B31

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2004S.0.92.0

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主催: 社団法人精密工学会

研削現象とその機構(1)

GaAs半導体材料の鏡面研削機構の研究　第3報

切削溝の間隔の違いが(表面および内部)クラック発生に与える影響

*田代雄介, 森田昇, 山田茂, 高野登, 大山達雄, 樋山雅樹

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キーワード: ガリウムヒ素, クラック, クラック生成機構, 精密研削, ウェーハ

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抄録

本研究では,ガリウム砒素半導体用ウェーハの製造工程,とくに精密研削加工におけるクラックの発生機構を解明することを目的とし,ダイヤモンド圧子を用いて,スクラッチ試験を行った.その結果,切削溝の間隔がある一定の距離になると,両者の応力場が相互干渉しあい,クラックを成長させたり新しいクラックを誘起させたりすることが確認された.今回の報告では,この現象を検証し,理論的に考察した.

責任著者(Corresponding author)

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