大気圧プラズマCVDによるエピタキシャルSi薄膜の形成に関する研究

抄録

超LSIデバイス用基板製造技術として、900°C以下の低温でのエピタキシャルSi成長技術が極めて重要になっている。我々は、大気圧プラズマCVD法を用いて、良質なエピタキシャルSiの形成技術を開発している。本方法により、薄膜中央部では、基板温度500°Cにおいて無欠陥のエピタキシャルSiの成長に成功した。今回は、大面積薄膜形成に向けて、成膜部全体における結晶性の分布についても検討した。