近接場光を用いたナノインプリント残膜測定法に関する研究（第1報）

膜厚変化に対する近接場光応答特性の解析

抄録

ナノインプリント技術は低コストで大量生産が可能な次世代半導体製造技術として期待される。しかし信頼性をもって半導体プロセスへ適用するために製造過程で生ずる極薄残膜の膜厚測定技術が必要不可欠である。そこで本研究では、近接場光学に着目し非破壊かつ高精度な膜厚測定技術の確立を目指す。
本報では、シミュレーションと実験の両面から膜厚に対する近接場光応答を解析し、新しいナノインプリント残膜厚の評価法を提案する。