触媒を援用した化学ポリシング法による4H–SiCの加工(第2報)

加工速度の検討

抄録

SiCをCMPで研磨する問題点として、加工速度が0.1μm/h程度と遅く、また表面にダメージが残っていることが挙げられる。通常、デバイス作製前には、さらに高温水素アニールを行う必要がある。本加工法において、これまでにCMPより平坦でダメージのない基板の作製が可能であることを示してきたが、加工速度がCMPと同等程度で遅いという問題があった。本報告では、加工速度の向上に関する研磨条件の検討を行った。