近接場光を用いたナノインプリント残膜測定法に関する研究(第2報) 残膜厚計測メカニズムの検討

高橋 哲; 南口 修一; 中尾 敏之; 臼杵 深; 高増 潔

doi:10.11522/pscjspe.2007S.0.301.0

2007年度精密工学会春季大会

セッションID: D03

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2007S.0.301.0

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主催: 社団法人精密工学会

近接場光を用いたナノインプリント残膜測定法に関する研究(第2報)

残膜厚計測メカニズムの検討

*高橋哲, 南口修一, 中尾敏之, 臼杵深, 高増潔

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キーワード: 近接場光学, ナノインプリント, FDTD, 膜厚

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抄録

ナノインプリント技術は低コストで大量生産が可能な次世代半導体製造技術として期待される.しかし信頼性をもって半導体プロセスへ適用するために製造過程で生ずる極薄残膜の膜厚測定技術が必要不可欠である.そこで本研究では,近接場光学に着目し非破壊かつ高精度な膜厚測定技術の確立を目指している.本報では,偏光の違いによる近接場光応答に注目し,インプリント残膜厚の計測メカニズムについて検討を行ったので報告する.

責任著者(Corresponding author)

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