HSAB則を用いた結晶成長配向予測手法の提案

山本 博之; 槌谷 和義; 上辻 靖智

doi:10.11522/pscjspe.2008S.0.905.0

抄録

一般的な圧電材料であるPZTやBaTiO₃は，<111>配向において最も高い圧電性を示すことが報告されている．一方，新規圧電候補材料であるMgSiO₃薄膜は，バッファ層上での優先配向が未知であることから制御が困難であり，圧電性が低い．したがって，本研究では圧電性の向上を目的とし，薄膜とバッファ層との界面での，HSAB則を用いた相互作用エネルギを評価値とした結晶成長配向予測手法の提案を行った．

著者関連情報

お気に入り & アラート

お気に入りに追加
追加情報アラート
被引用アラート
認証解除アラート

閲覧履歴

1型糖尿病をもつ幼児期・学童期の子どものセルフケアに関する文献レビュー
特定トピックに興味を持つTwitterユーザ発見のための非個人ユーザフィルタリング手法の試作
The Welding Conditions of very Thin Aluminum Sheet of High Welding Speed DCEN TIG Welding without Filler Metal
平成22年度秋季大会報告
The pTau217/Aβ_1-42 plasma ratio: The first FDA-cleared blood biomarker test for diagnosis of Alzheimer's disease

責任著者(Corresponding author)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）