抄録
LSIデバイスのスケーリングにより微細化は物理的限界に達し、原子数個レベルの製造ばらつきが求められ、装置価格と製造コストの増加が今後伴うと予想される。ブレークスルーのためにデバイスの縦方向への三次元集積化(3DI)への転換はパフォーマンス、消費電力、高機能化が期待されている。これまでに、Wafer on Wafer (WOW)に基づいて基板貼合せの後にTSVを生成するシリコン貫通ビア(TSV)とダマシン平坦化プロセスを開発してきた。WOWプロセスによる3DI技術は唯一の前工程プロセスからの連続性によって実現可能である。前工程レベルの平坦化が必要なTSV高速平坦化プロセスはウエハー積層特性に大きな影響を与えるため3DIにおいても重要な要素技術である。
