フュームドシリカスラリーによる層間絶縁膜CMP工程でのスラリー粗大砥粒とマイクロスクラッチの関係 CMP加工条件の影響調査とスクラッチの定量的評価方法確立について

伊藤 吉彦; 土肥 俊郎; 河野 博之; 黒河 周平; 梅崎 洋二

doi:10.11522/pscjspe.2009A.0.303.0

2009年度精密工学会秋季大会

セッションID: E07

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2009A.0.303.0

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主催: 社団法人精密工学会

フュームドシリカスラリーによる層間絶縁膜CMP工程でのスラリー粗大砥粒とマイクロスクラッチの関係

CMP加工条件の影響調査とスクラッチの定量的評価方法確立について

*伊藤吉彦, 土肥俊郎, 河野博之, 黒河周平, 梅崎洋二

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キーワード: CMP, 層間絶縁膜, フュームドシリカ, マイクロスクラッチ

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抄録

LSIデバイス製造工程内の層間絶縁膜平坦化CMP(Chemical Mechanical Polishing)工程では，フュームドシリカスラリー中の粗大凝集砥粒によるマイクロスクラッチ発生が問題視されている．そこで本研究ではスラリー調整条件と粗大凝集砥粒数そしてマイクロスクラッチ数との関係を定量的に評価し，スクラッチ発生メカニズムの解明を目指している．その研究の一環として本報告ではマイクロスクラッチ数の定量評価法と，加工条件のマイクロスクラッチ数への影響について報告する．

責任著者(Corresponding author)

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