大気圧プラズマCVDによる微結晶Si薄膜の低温・高速形成

膜構造の安定性評価

抄録

我々は大気圧プラズマCVD法による微結晶Si（μc-Si）薄膜の低温・高速形成技術を開発している。ガス透過性の高い多孔質カーボン電極を用いることで、基板上に均一なプラズマを発生させることができるとともに、一様な膜厚の成膜が可能である。今回は、デバイスへの応用を念頭におき、種々の成膜パラメータと膜構造の安定性との相関について検討した。