大気圧プラズマCVD 法によるSi 選択エピタキシャル成長に関する研究

抄録

低温でのSi選択エピタキシャル成長技術は、優れた電気特性を持つ新構造デバイスの開発やデバイスプロセスの自由度の拡大といった点から重要視されている。本研究では、大気圧プラズマCVD法において、原子状水素をエッチャントとして用いることにより、低温（300～500℃）でのSi選択エピタキシャル成長を実現したので報告する。