新規圧電薄膜のための結晶成長配向予測手法の提案

山本 博之; 槌谷 和義; 上辻 靖智

doi:10.11522/pscjspe.2009S.0.693.0

抄録

著者らは，新規生体適合圧電候補材料MgSiO₃薄膜の圧電性向上を目的とし，薄膜結晶成長配向予測手法の提案を行い，優先配向面方位のみ成長予測が確認可能となった．本研究では，第一原理計算による計算条件を変更しMgSiO₃の安定状態の格子定数を再検討し，その結果からバッファ層によって歪みを与えられたMgSiO₃薄膜の各配向結晶のエネルギと実際の薄膜のX線ピーク強度と比較し，この手法の精度向上を検討した．

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