銅めっき深穴埋込みにおける遠心力の影響

抄録

ICの三次元実装に用いられる貫通電極形成には，高アスペクト比の穴に銅をめっきにより埋め込む方法が検討されている．しかし，めっき時に穴深部で銅イオンが枯渇するため，めっき時間の短縮が大きな課題である．そこで，遠心力印加によって濃度差対流を促進させ、穴深部への銅イオン供給を試みた．実験を進めたところ，めっき添加剤の挙動が遠心力により大きく変化することを新たに見出した．