バイアス電圧印加を併用した光電気化学反応によるGaN基板の高能率平坦加工

浅野 博弥; 定國 峻; 佐野 泰久; 八木 圭太; 村田 順二; 岡本 武志; 橘 一真; 山内 和人

doi:10.11522/pscjspe.2011A.0.181.0

2011年度精密工学会秋季大会

セッションID: F67

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2011A.0.181.0

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主催: 公益社団法人精密工学会

バイアス電圧印加を併用した光電気化学反応によるGaN基板の高能率平坦加工

*浅野博弥, 定國峻, 佐野泰久, 八木圭太, 村田順二, 岡本武志, 橘一真, 山内和人

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キーワード: 超精密研磨, 次世代半導体基板, プラナリゼーション, 電気化学, 新加工技術

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抄録

GaNは省エネルギーパワーデバイス用半導体基板材料として注目されているが，その高硬度・化学的安定性のため高能率・高精度な研磨技術が未確立である．我々は触媒定盤表面を基準面とする新しい化学研磨技術によってGaN基板の高能率・高精度平坦化加工に取り組んでいる．本報では研磨時にバイアス電圧を印加することによって加工速度の向上に成功した結果について述べ，そのメカニズムについて考察する．

責任著者(Corresponding author)

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