多段階の化学的平坦化手法を用いたGaN単結晶基板の高能率・超平坦化加工

定國 峻; 村田 順二; 佐野 泰久; 八木 圭太; 岡本 武志; 橘 一真; 浅野 博弥; 山内 和人

doi:10.11522/pscjspe.2011A.0.179.0

2011年度精密工学会秋季大会

セッションID: F66

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2011A.0.179.0

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主催: 公益社団法人精密工学会

多段階の化学的平坦化手法を用いたGaN単結晶基板の高能率・超平坦化加工

*定國峻, 村田順二, 佐野泰久, 八木圭太, 岡本武志, 橘一真, 浅野博弥, 山内和人

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キーワード: 窒化ガリウム, 光電気化学反応, 固体酸触媒, 平坦化加工, ステップテラス構造

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抄録

GaNは省エネルギーパワーデバイス用半導体基板材料として注目されているが，その高硬度・化学的安定性のため高能率・高精度な研磨技術が未確立である．我々は触媒定盤表面を基準面とする新しい化学研磨技術によってGaN基板の高能率・高精度平坦化加工に取り組んでいる．本報では加工機構の異なる二種類の加工系を，前工程および仕上げ工程として用いることで，平坦化加工の高能率化に成功した結果について述べる．

責任著者(Corresponding author)

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