大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発

抄録

薄型結晶Si太陽電池の高効率化において表面パッシベーション技術は必要不可欠である。本研究では大気圧プラズマ酸化によりSi表面のパッシベーション膜としてSiO₂およびAlO_xを形成した。高周波CV測定により、SiO₂は正の固定電荷を、AlO_xは負の固定電荷を10¹¹～10¹²cm^-3程度有するという結果が得られた。これより本手法はp型、n型Si両方に適用し得るパッシベーション技術であると考えられる。