原子レベルで平坦化された4H-SiC(0001)表面上への高品質グラフェンの形成

抄録

グラフェンは、優れた電気伝導性をもつことから、Siに代わる電界効果トランジスタのチャネル材料や高周波素子として応用が期待されており、実用化に向けては、大面積でのグラフェン形成技術が必要不可欠となっている。本研究では、SiCの熱分解によって、広範囲に高品質のグラフェン形成を試みた。我々は、原子レベルで平坦化されたSiCを用いることで、グラフェン形成の低温化に成功し、加熱方法が膜質に影響を与えることを見出した。