水酸化フラーレンを用いたCu-CMP 加工に関する研究（第３報）

パターンウェハの研磨特性の評価

抄録

微細化が進む半導体デバイス内部の銅配線層を高精度に平坦化する技術として、水酸化フラーレンナノ粒子を砥粒として用いたCu-CMP技術を提案している。今回は、従来のコロイダルシリカを砥粒として用いたスラリーと、水酸化フラーレンを用いたスラリーの配線パターンに対する研磨特性を評価し、従来加工法と本加工法について、推定されている加工メカニズムの違いと研磨特性の関係を検討した。