酸化マンガン系スラリーを用いたSiC単結晶基板の精密加工 密閉型加工環境コントロールCMP装置による加工特性

長谷川 正; 土肥 俊郎; 黒河 周平; 大西 修; 尹 涛; 河瀬 康弘; 山口 靖英; 岸井 貞浩; 山崎 努

doi:10.11522/pscjspe.2011S.0.375.0

2011年度精密工学会春季大会

セッションID: E33

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2011S.0.375.0

会議情報

主催: 社団法人精密工学会

酸化マンガン系スラリーを用いたSiC単結晶基板の精密加工

密閉型加工環境コントロールCMP装置による加工特性

*長谷川正, 土肥俊郎, 黒河周平, 大西修, 尹涛, 河瀬康弘, 山口靖英, 岸井貞浩, 山崎努

著者情報

キーワード: CMP, 酸化マンガン, シリコンカーバイド, スラリー

会議録・要旨集フリー

詳細

抄録

本研究は，次世代のパワーデバイス用材料であるSiC基板のCMPプロセスに関する研究の一環として行なった．ここではスラリー及び加工雰囲気とその他の複合作用に注目し，高能率高品質加工を目標とする．SiC基板の加工メカニズムを考察し，酸化作用が重要な働きをしていると考え，砥粒として酸化作用の強い酸化マンガンを用いた．密閉型加工環境コントロールCMP装置を用い，高圧酸素雰囲気下で加工を行うことで，高能率加工を実現した．

責任著者(Corresponding author)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）