シャドウマスクを用いたPCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)によるSiC 基板の切断加工の検討

抄録

炭化珪素(SiC)は優れた物性を持つ材料として期待されている。Siと比べて、SiCはバンドギャップ、熱伝導率、飽和電子移動度、いずれも上回っている。一方、SiCは高硬度、高脆性であるため、その加工には機械加工は不向きである。今回、大気圧プラズマを用いた化学加工をSiC基板のダイシングに応用した結果を報告する。本手法では、ラジカルによる化学反応のみで加工するためダメージフリーかつチッピンングレスなプロセスが実現できる。