抄録
シリコンカーバイド（SiC）やガリウムナイトライド（GaN）は，優れた物性値を持つことから，次世代パワー半導体デバイス用材料として注目されている．しかし，これらの材料は，高硬度，かつ化学的に安定な材料であるため，加工することが非常に難しく，基板の加工が技術的課題となっている．この課題に対して，われわれは，過酸化水素水中において，鉄微粒子表面上で生成されるOHラジカル（OH・）を利用した新しい化学的加工法を提案している．本報告では，鉄微粒子を利用した2インチ単結晶SiC基板のダメージフリー加工について報告する．
