イオンビーム照射による隆起とスパッタリング現象の関係

抄録

ArイオンビームをSi試料に照射すると、照射量が少ない間はSi結晶のアモルファス化により試料表面が隆起する。イオンビームの照射量が増加するとともに、スパッタリング効果により試料表面の原子が弾き飛ばされ、試料表面が掘削されることが知られている。本研究では、Si表面の隆起とスパッタリングの2つの現象をイオンビームの照射量依存性という観点で測定し、その現象の関係性を求めた。