大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発 大気圧プラズマ酸化によるSiO2の低温高速形成

金谷 優樹; 三宮 佑太; 山田 高寛; 大参 宏昌; 垣内 弘章; 安武 潔

doi:10.11522/pscjspe.2012A.0.327.0

2012年度精密工学会秋季大会

セッションID: E15

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2012A.0.327.0

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主催: 公益社団法人精密工学会

大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発

大気圧プラズマ酸化によるSiO2の低温高速形成

*金谷優樹, 三宮佑太, 山田高寛, 大参宏昌, 垣内弘章, 安武潔

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キーワード: 大気圧, プラズマ, 酸化

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抄録

大気圧プラズマ酸化は，低温・高速でSiO2膜の形成が可能であるとともに，大気解放下での高スループットプロセスが可能であることから，産業応用が期待されている．我々は，太陽電池プロセスにおけるチャンバーレスプロセスを指向した，大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発を行っている．講演では，真空レスプロセスで形成した大気圧プラズマ酸化膜の特性評価結果について報告する．

責任著者(Corresponding author)

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