レーザ照射によるシリコン基板表面の選択的改質

抄録

アルゴンイオンレーザを用いたシリコン基板の濡れ性制御を中心に、レーザ照射によるシリコン基板の表面改質について報告する。レーザをシリコンに照射すると、そのエネルギ密度によって照射部の濡れ性が変化することを確認した。接触角は未照射部と比べ最大10°程度の増大が得られた。また、照射条件を変え、同一基板上に選択的に異なる濡れ性を付与することで、滴下液体を移動させることが可能である。