純水を用いた触媒表面基準エッチング法における加工原理の検討

抄録

新たな研磨手法として触媒表面基準エッチング法(CARE)の開発を行ってきた．現在までに次世代パワーデバイス材料として注目を集めているSiC基板やGaN基板の加工を行っており、基板全面において原子レベルで平坦かつ結晶性の良好な表面の作製が可能であるとわかっている．しかし、本加工法における加工原理は明らかになっていない．本発表では第一原理計算を用いたシミュレーションを行い、加工原理の検討を行った結果について報告する．