白色干渉法によるポーラスSiの膜厚計測

抄録

ポーラスSiとは陽極化成法で作製可能な、多孔質構造を持つSiナノ構造材料の1種である。近年、ポーラスSiの孔に導入可能な、ナノメータサイズの物質の検出法が提案されている。この方法を実現するためには、白色干渉スペクトルの解析による、ポーラスSiの膜厚計測法の確立が不可欠である。本研究では単層及び2層のポーラスSiを作製し、白色干渉スペクトルの解析による膜厚の算出を試みた。