電界砥粒制御技術を活用したガラス基板研磨向け砥粒作用性促進化技術の開発

池田 洋; 中村 竜太; 久住 孝幸; 赤上 陽一

doi:10.11522/pscjspe.2012A.0.743.0

2012年度精密工学会秋季大会

セッションID: K18

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2012A.0.743.0

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主催: 公益社団法人精密工学会

電界砥粒制御技術を活用したガラス基板研磨向け砥粒作用性促進化技術の開発

*池田洋, 中村竜太, 久住孝幸, 赤上陽一

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キーワード: 電界, 研磨レート, ケミカルメカニカル研磨, スラリー, 酸化セリウム, ガラス基板

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抄録

ガラス研磨に広く使用されている酸化セリウム砥粒を用いた高効率な研磨技術の開発を目的に，CMP技術，あるいはトライボケミカル研磨技術と電界砥粒制御技術とを融合させた新しい研磨技術を提案している．本論では，本技術がガラス基板の研磨特性に及ぼす影響について評価を行い，本技術がガラス研磨に有効な技術であることを述べる．

責任著者(Corresponding author)

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