N-フルオロピリジニウム塩を用いたエッチングによるSiのランダム逆ピラミッドの形成

抄録

シリコン表面にN-フルオロピリジニウム塩を塗布し、加熱すると、塗布した部分がエッチングされる。エッチング深さは温度や加熱時間に依存して増加することが分かっている。本研究では、N-フルオロピリジニウム塩を塗布したシリコンを暗室及び光照射を行いながら一定時間放置することで、エッチング深さ及びエッチング後の微細表面形状にどのような変化が生じるか調査した。