水素ラジカル処理を用いた鉛フリーはんだ接合によるMEMSデバイス封止技術の開発

抄録

MEMSの封止において，表面粗さ許容性に優れたはんだ接合が、歩留まり向上の観点から有用であるが，リフロー時に用いられるフラックスの残渣の洗浄工程が問題となる．そこで本研究では，Sn-3.0Ag-0.5Cu(wt%)はんだペーストをガラス基板上に印刷し，リフロー中に水素ラジカル処理を行うことで，フラックス残渣の洗浄が不要な，はんだ封止パターンを形成した．このガラス基板を，キャビティを形成したシリコン基板と接合する事で，封止構造を実現した．