高周波スパッタリング法によるc-BN薄膜の成長

成長温度と基板バイアスの効果

抄録

我々は、h-BNターゲットをRFスパッタしてc-BN相を含む薄膜の形成を試みている。今回は、基板温度とバイアス電圧を主たるパラメータとして調査した。その結果、基板温度を600℃とし、100V以上の負のバイアス電圧を印加すると、FT-IRで見る限りほぼc-BN単相の薄膜が得られることがわかった。c-BN薄膜の成長には、高い基板温度とイオン衝撃が必要であると考えられる。