大気圧VHFプラズマによるSiの低温・高速成膜とSi成長プロセスの考察

抄録

Siは、太陽電池やTFTといったデバイスに広く利用されている。本研究では、150 MHzのVHF電力を用いた大気圧プラズマCVD法によるSiの低温・高速成膜技術の開発を目的としている。今回、プラズマ中でのガス滞在時間に着目し、膜の結晶性や特性との相関について考察した。