大気圧プラズマ化学輸送法によるSi膜の選択成長

抄録

我々は、大気圧プラズマ化学輸送法により、高品質な結晶Si膜を形成することを目的とした研究を行っている。今回、表面にライン上の酸化膜がパターン形成されたSi基板を用いて、Si上のみへのSi膜の選択成長を試みた。成膜実験は大気圧プラズマ化学輸送法を用い、基板温度300℃、水素濃度5%という酸化膜上でSi成長の核形成が起こらない条件下で行った。結果、選択的なSi膜形成に成功した。詳細は当日の発表に譲る。