半導体露光装置におけるレーザー干渉測長誤差の評価と解析精度検証

抄録

半導体露光装置のレーザー干渉測長誤差に関して、これまで熱流体解析を用いて温度起因の測長誤差を予測し、装置の空調設計に反映してきた。本報ではナノメートルオーダーの測長誤差が予測可能な熱流体解析技術の開発を目的としている。装置で計測した温度起因の測長誤差と、熱流体解析結果から換算した測長誤差を比較した結果、ナノメートルオーダーの解析精度をもつことを確認した。