溶液環境下での高精度ローカル研磨法の開発

単結晶SiC基板の基礎加工特性

抄録

シリコンカーバイド（SiC）は，シリコン（Si）と比べて優れた半導体特性を有し，次世代パワー半導体デバイス用材料として注目されている．しかしながら，熱的，化学的に極めて安定であるため，加工が困難であることが知られている．現在，われわれは，溶液環境下において，SiC基板を高精度に加工するためのローカル研磨法を提案・開発している．本報告では，この提案手法を用いて単結晶SiC基板を加工した結果について報告する．