紫外光援用研磨法の開発

単結晶SiC基板の基礎加工特性

抄録

現在，次世代半導体材料として期待されているシリコンカーバイド（SiC）やダイヤモンドの高能率・高精度加工法の開発が強く求められている．われわれは，次世代半導体材料の高能率加工を実現するために，紫外光を利用したドライ研磨法を提案・開発している．本報告では，この提案手法の加工概念と単結晶SiC基板加工への適用例について報告する．