ウェットエッチングPSSのパターン形状制御メカニズム

抄録

本研究ではウェットエッチングにより加工したPatterned Sapphire Substrateの形状制御メカニズムを解明することを目的とした。硫酸と燐酸の混酸をエッチャントとして用い、その混合比を変えることによるパターン形状への影響を調査した。硫酸の混合比が増加するほど、パターンの穴径は小さくなることが確認された。これは硫酸とサファイアの反応によって生成された物質が結晶のステップに付着し、横方向のエッチングが阻害されたためだと考えられる。