SiCウエハのCMPにおいて研磨部材が基板表面および表面下に与える影響

抄録

SiCウエハ加工の最終仕上げはコロイダルシリカを用いたCMP（Chemo-Mechanical Polishing）が一般的である。しかし、最近、潜傷と呼ばれるスクラッチ状の歪が表面下に残存するケースがあることがわかってきた。潜傷は、後工程となるエピ成長工程でモフォロジー劣化を引き起こす起点となることが知られており、デバイスの歩留まりに大きく影響する。そこで、潜傷の発生原因を探るために、CMPに使用するパッドやスラリー材料によるSiC表面および表面下への影響を調査した。