スパッタリング法によるTi-Si多層薄膜の作製とその自己伝播発熱反応挙動

抄録

前回、Niフリーで自己伝播発熱反応を生じる材料としてTi:Si=5:4の組成比を持つTi-Si系多層膜がその有力な候補であることを報告した。現在、膜組成の探索範囲を広げると共に、一層対厚さと総膜厚が自己伝播発熱反応に及ぼす影響についてより包括的な調査を進めている。その結果、Ti:Si=1:2の多層膜においても安定な反応を生じること、25nm程度の一層対厚さの材料で最も反応が顕著であることなどが明らかとなった。