半導体の線幅標準に関する研究（第12報） 次世代半導体構造測定におけるSTEM画像の適用

沖藤 春樹; 高橋 哲; 高増 潔

doi:10.11522/pscjspe.2014S.0_71

2014年度精密工学会春季大会

セッションID: A66

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2014S.0_71

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主催: 公益社団法人精密工学会

半導体の線幅標準に関する研究（第12報）

次世代半導体構造測定におけるSTEM画像の適用

*沖藤春樹, 高橋哲, 高増潔

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キーワード: 半導体, STEM, ナノメートル測定

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抄録

半導体産業の微細化に伴い，ナノメートルスケールの測定及び評価が必要とされている．現在，次世代半導体構造のスケールは10 nm に及び，従来利用されてきたCD-SEMやCD-AFMによる測定は困難になりつつある．我々は，高解像に撮影が可能なSTEMを利用し，半導体やフォトレジストの形状測定を行ってきた．本報では，10 nm スケールの次世代半導体構造に対し，STEMを適用することで，その測定にどのようなアプローチが可能であるか検討する．

責任著者(Corresponding author)

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